شرکت TSMC بدون هیاهوی رسانهای، تولید انبوه تراشههای کلاس ۲ نانومتری خود را آغاز کرده است؛ اتفاقی مهم که نشان میدهد بزرگترین تراشهساز جهان عملاً وارد نسل بعدی فناوری ساخت نیمههادیها شده است. این تولید با استفاده از فرایند N2 انجام میشود و برای نخستین بار در خطوط تولید TSMC، ترانزیستورهای GAA (Gate-All-Around) بهکار گرفته شدهاند؛ فناوریای که جهشی قابل توجه نسبت به نسل قبلی N3E محسوب میشود.
طبق برنامهریزی از پیش اعلامشده، این فناوری در سهماهه چهارم سال ۲۰۲۵ به مرحله عملیاتی رسیده و بهبودهایی چشمگیر در عملکرد، مصرف انرژی و تراکم ترانزیستورها به همراه دارد.
شروع تولید تراشههای ۲ نانومتری TSMC
بر اساس گزارشهای منتشرشده، TSMC بدون صدور بیانیه رسمی یا کنفرانس خبری، تولید تراشهها با فرایند N2 یا همان کلاس ۲ نانومتری را آغاز کرده است. هرچند نبود اطلاعیه رسمی در ابتدا کمی عجیب به نظر میرسد، اما این شرکت پیشتر بارها تأکید کرده بود که فناوری N2 طبق زمانبندی تعیینشده در سهماهه چهارم سال وارد فاز تولید میشود؛ وعدهای که حالا محقق شده است.
در صفحه رسمی TSMC مربوط به فناوری ۲ نانومتری نیز بهوضوح اشاره شده که فرایند N2 در سهماهه پایانی سال ۲۰۲۵ وارد مرحله تولید شده و از نظر بازده ساخت (Yield) در وضعیت مناسبی قرار دارد؛ موضوعی که برای مشتریان بزرگ این شرکت اهمیت حیاتی دارد.
آغاز بیسر و صدای تولید تراشههای ۲ نانومتری نشان میدهد TSMC بیش از نمایش تبلیغاتی، بر اجرای دقیق نقشه راه خود تمرکز دارد. ورود به دنیای ترانزیستورهای GAA نهتنها یک پیشرفت فنی مهم است، بلکه میتواند فاصله این شرکت را با رقبا بیشتر کند؛ بهویژه در شرایطی که بازار بهدنبال تراشههایی قدرتمندتر و کممصرفتر برای هوش مصنوعی، موبایل و دیتاسنترهاست. اگر بازده تولید N2 واقعاً در سطح مطلوب باقی بماند، TSMC همچنان جایگاه بیرقیب خود را در صنعت نیمههادیها حفظ خواهد کرد.
جهش بزرگ TSMC با فناوری N2؛ قدرت بیشتر، مصرف کمتر و آیندهای آماده برای هوش مصنوعی
از نظر پیشرفتهای فنی، فرایند ساخت N2 بهگونهای توسعه یافته که در شرایط مصرف انرژی برابر، ۱۰ تا ۱۵ درصد عملکرد بالاتری ارائه میدهد یا در سطح کارایی مشابه، مصرف انرژی را تا ۲۵ الی ۳۰ درصد کاهش میدهد. علاوه بر این، در طراحیهای ترکیبی شامل منطق، آنالوگ و حافظه SRAM، تراکم ترانزیستورها حدود ۱۵ درصد بیشتر از N3E است؛ عددی که در طراحیهای کاملاً منطقی حتی میتواند به ۲۰ درصد افزایش چگالی برسد. مجموعه این پیشرفتها نشان میدهد N2 نه تنها یک بهروزرسانی تدریجی، بلکه جهشی واقعی در بهرهوری انرژی و توان پردازشی محسوب میشود.
فناوری N2 نخستین گره تولیدی TSMC است که از ترانزیستورهای GAA با ساختار ریزصفحهای استفاده میکند. این معماری جدید با کنترل دقیقتر الکترواستاتیکی و کاهش نشت جریان، امکان کوچکتر شدن ترانزیستورها را بدون افت کارایی یا راندمان انرژی فراهم میکند. در کنار آن، بهکارگیری خازنهای جدید SHPMIM باعث پایداری بهتر توان، عملکرد پایدارتر و بهبود کلی بهرهوری انرژی در تراشهها شده است.
به گفته «سی.سی. وی»، مدیرعامل TSMC، فناوری N2 هم اکنون در مسیر تولید انبوه قرار دارد و انتظار میرود از سال ۲۰۲۶ با تمرکز ویژه بر کاربردهای هوش مصنوعی و سامانههای محاسباتی پیشرفته بهطور گسترده مورد استفاده قرار گیرد. بر اساس این برنامه، تولید اولیه در کارخانه Fab 22 آغاز میشود و کارخانه Fab 20 با اندکی تأخیر به این چرخه تولید خواهد پیوست.